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高端放量结构升级,积极推进新兴市场

2016/10/3 | 来自:董事会秘书处

高端放量结构升级,积极推进新兴市场

                                                                 转自中投证券 孙远峰,耿琛

中投电子观点:

高端产品逐步放量,产品结构显着升级。15年Q4毛利率27.46%,为12年以来最高的 单季毛利率,公司秉承将功 率半导体做强做精的“工匠”精神,推动公司产品 线向高端领域不断拓展,目前公司已掌 握从高端事极管到第六代IGBT 等各领域的核心技术,已逐步具备向 客户提供一站式整体解决方案的能力。公司在16年Q1加大了新兴市 场的推广力度,已经实现销售 收入和毛利率的稳步提升,预计公司新兴 市场有望自16年上半年取得突破,全年业绩仍有保障。

进一步加大对IGBT等高端产品研发投入,发展后劲十足。15年公司研发投 入占营业收入6%以上,研发重点聚焦 在高世代IGBT、COOLMOS以及TRENCH SBD等高尖端产品,目前已在高端 功率半导体核心技术取得较大突破,新产品已经逐 步投放市场,随着公司新的 产品逐渐量产,公司的发展后 劲得到了有力保障。

持续加强工艺 平台建设,工艺技术转化 能力进一步增强。对工艺技术的 掌控能力是功率半导体企业持续发展的核心竞争力,公司在原有技 术积累的基础上不断进行工艺优化,目前已实现 4 英寸线对 BJT、放电管、可控硅产品工 艺技术平台的整合不优化,五英寸线对平面、TRENCH 高端事极管、CMOS 工艺技术平台 的整合不优化,六英寸线对 MOSFET、IGBT 工艺技术平台 的整合与优化;公司全面的工艺技术“掌控能力”已充分体现。

积极推进第三 代新材料器件的研发、制造,以实现在功率 半导体领域对国际领先企业的弯道超车,力争在“十三五”末期在国内功 率半导体器件行业中率先进入国际领先企业行列,树立具有国际 影响力的民族品牌。

投资要点:

公司是专注于设计+材料创新,以及特种工艺的“芯片级”功率半导体龙头企业,亦是技术积累超50年的A股稀缺“自主可控”标的。公司凭借长期 技术和市场积累将实现行业突破,适逢本土龙头 企业投融资热潮,以及英飞凌等 国际同业龙头高速发展的“黄金周期”;实际控制人更 替和股权激励计划表征内部治理告一段落,预计迎来可持 续的高速发展周期。

高成长行业爆 发和自主可控,综合催生IGBT/智能模块IPM 等高端功率半 导体飞速成长。新能源汽车及 其充电设备对IGBT 类芯片和模块 产品需求旺盛,功率模块成本 占比高达约10%,仅本土需求即达600亿元规模;历叱上,公司曾为国家 军工行业相关建设提供坚强保障和支撑,现今,在高端武器装 备电磁化发展趋势明显下,国产替代实现 自主可控已迫在眉睫;公司能力已达 国际水平,并具备稀缺的“实际量产落地”能力,预计将依托旺盛需求,实现高附加值 产品放量,盈利水平将获 得快速提升。

第三代功率器 件迎巨大潜在市场,公司具备迎接 新机遇的充足主客观条件。第三代功率半 导体不现有高端产品,在材料/结构/工艺/封装等核心环节,具备明显的传承性,公司IDM 模式下完全能 够满足新材料器件的发展需要,技术向上延伸 水到渠成,高端产能扩容 和技术升级发展预期十分强烈。

给予”强烈推荐“评级,目标价12.3 元。16-18 年净利润预计0.95/2.05/3.50亿元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增速121%/115%/71%。行业资源整合 趋势给予公司较强内生外延发展预期;军工/新能源亟待突破,高附加值产品 持续优化获利能力;功率半导体戓 略新兴格局下,“大行业小公司”现状给予足够空间;鉴二未来业绩 高成长和PEG考量,已经呈现销售 收入和毛利率提升的趋势,以及潜在突破 行业估值中枢较高,给予17年44倍PE,目标价12.3元,具长期投资价值。

风险提示:本土半导体国 产化替代,以及新应用领 域拓展不达预期的风险。

 

高端放量结构升级,积极推进新兴市场.pdf 

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